첨단 시설 효율적인 생산& quot;유엔 미나마타 협약& quot; 전 세계 128개국이 서명한 이 조약은 2017년 8월 중국에서 공식적으로 발효되었습니다. 이 조약은 2020년부터 다양한 수은 함유 제품의 생산 및 수출입을 명시적으로 금지하고 전통적인 수은 램프의 생산 및 판매를 금지합니다. . 현재 널리 사용되는 UV 수은 램프를 대체할 새로운 환경 친화적이고 에너지 절약적인 UV 고체 광원의 개발은 살균, 소독 및 노출 경화 분야에서 시급한 요구가 되었습니다. 3세대 반도체 재료인 AlGaN을 기반으로 한 자외선 LED는 국내외 각계각층의 큰 관심을 받고 있는 맹렬한 신종 코로나바이러스에 분명한 사멸 효과가 있다.
성숙한 청색 LED와 달리 UV LED의 핵심 물질은 In 함량이 낮고 Al 함량이 높기 때문에 에피택셜 층을 결함 밀도, p-AlGaN 물질의 낮은 정공 농도, 강한 분극 효과 및 전류 운반 문제로 만듭니다. 불균형 하위 운송이 매우 두드러집니다. 따라서 자외선 LED의 발광 효율은 성숙한 청색 LED보다 훨씬 낮습니다. 자외선 LED는 발광 파장이 370nm보다 낮을 때 발광 효율이 급격히 떨어지는 문제가 있어 하이엔드 적용을 가로막는 가장 큰 걸림돌이 된다.
위의 문제에 대한 응답으로 광동 과학 아카데미 반도체 연구소의 Advanced Materials Platform은 재료 성장 및 장치 설계의 두 가지 측면에서 UV LED의보다 체계적이고 심층적 인 기술 연구 및 개발에 착수했습니다.
첫째, MOCVD 미세 성장 모드 제어 기술을 사용하여 고품질 AlGaN 재료와 높은 내부 양자 효율 AlGaN 양자 우물을 성공적으로 준비했습니다. 동시에 연구원들은 다원소 합금 p-AlInGaN/AlGaN을 줄이기 위해 편광 필드 제어 기술과 에너지 밴드 엔지니어링을 사용했습니다. , 및 내부 양자 효율이 높은 UV LED 장치가 성공적으로 개발되었습니다.
결과는 SPSL-EBL이 UV LED 소자의 캐리어 수송 특성을 개선하고 소자의 턴온 전압을 감소시켜 368 nm의 발광 파장을 갖는 UV LED 소자의 발광 효율을 증가시킬 수 있음을 보여준다. 기존 구조와 비교하여 101.6%입니다. 이 연구는 더 높을 것입니다. 효율적인 전고체 UV 광원의 연구 개발은 새로운 길을 열어줍니다.
위의 연구 결과 중 일부는 최근 국제 권위 있는 저널"Journal of Materials Chemistry C"에 게재되었습니다.